Оперативная память DIMM DDR3 новая

Оперативная память DDR3 значительно превосходит DDR2 по пропускной способности, а значит - по производительности. При этом производители использовали более тонкий, чем для DDR2, техпроцесс и транзисторы с двойным затвором Dual-gate, что позволило снизить напряжение питания ячеек памяти до 1,5 В (по сравнению с 1,8 В для DDR2) и, соответственно, уменьшить потребление энергии. Есть также вариант памяти DDR3L, где напряжение меньше еще на 10% и составляет 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10%. Типичные объёмы обычных модулей памяти DDR3 составляют от 1 ГБ до 16 ГБ. Оперативная память DIMM DDR3 не совместима ни электрически, ни механически с модулями оперативной памяти DIMM DDR2. Производители расположили ключ в другом месте, чтобы предотвратить случайную путаницу при установке памяти в слоты и избежать повреждения модулей памяти в связи с отличающимися электрическими параметрами.